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| Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Hochstzulassige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral It value Isolations Prufspannung insulation test voltage tp= 1ms VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C Tvj= 25C Tc= 80C Tc= 25C tp= 1ms, Tc= 80C Tc= 25C; Transistor VCES IC, nom IC ICRM Ptot VGES IF IFRM 1200 1200 1700 2400 V A A A 5,6 kW +/- 20 V 1200 A 2400 A It 300 k As RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL 2,5 kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sattigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitat input capacitance Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current IC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 25C, IC= 1200A, VGE= 15V, Tvj= 125C, IC= 48mA, VCE= VGE, Tvj= 25C, VGE= -15V...+15V; VCE=...V f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25C, VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C VCEsat VGE(th) QG Cies Cres ICES IGES min. 5 typ. 1,7 2 5,8 max. 2,15 t.b.d. 6,5 V V V - 11,5 - C - 86 - nF - 4 - nF - - 5 mA - - 400 nA prepared by: MOD-D2; Mark Munzer approved: SM TM; Christoph Lubke date of publication: 2002-07-29 revision: 2.0 1 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter IC= 1200A, VCC= 600V Einschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) VGE=15V, RGon=1,8W, T vj=25C VGE=15V, RGon=1,8W, T vj= 125C min. td,on tr typ. 0,54 0,64 max. s s IC= 1200A, VCC= 600V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE=15V, RGon=1,8W, T vj=25C VGE=15V, RGon=1,8W, T vj= 125C - 0,22 0,23 - s s IC= 1200A, VCC= 600V Abschaltverzogerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) VGE=15V, RGoff =0,62W, T vj=25C VGE=15V, RGoff =0,62W,T vj= 125C td,off - 0,82 0,96 - s s IC= 1200A, VCC= 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Modulindiktivitat stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Tc= 25C VGE=15V, RGoff =0,62W, T vj=25C VGE=15V, RGoff =0,62W,T vj= 125C tf - 0,15 0,18 245 - s s mJ IC= 1200A, VCC= 600V, Ls= 60nH VGE=15V, RGon=1,8W, T vj= 125C Eon Eoff ISC - IC= 1200A, VCC= 600V, Ls= 60nH VGE=15V, RGoff =0,62W, T vj= 125C - 190 - mJ tP 10s, VGE 15V, TVj 125C VCC= 900V, VCEmax= VCES - LsCE * cdi/dtc - 4800 - A LsCE RCC/EE - 12 - nH - 0,19 - mW Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage Ruckstromspitze peak reverse recovery current IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25C IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125C IF=IC,nom, -diF/dt= 4800A/s VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C Sperrverzogerungsladung recoverred charge IF=IC,nom, -diF/dt= 4800A/s VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF=IC,nom, -diF/dt= 4800A/s VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125C Erec 13 35 mJ mJ Qr 55 150 C C IRM 390 620 A A VF 2,0 1,8 2,5 V V 2 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Thermische Eigenschaften / thermal properties min. Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case Ubergangs Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemp. maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature pro Transistor /per transistor, DC pro Diode/per Diode, DC pro Modul / per module lPaste/lgrease =1W/m*K RthJC RthJC RthCK Tvj max Tvj op Tstg typ. 0,006 max. 0,022 0,040 K/W K/W K/W - - 150 C -40 - 125 C -40 - 125 C Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlusse terminal connection torque Schraube /screw M5 M 4,25 Al2O3 32 mm 20 mm >400 - 5,75 Nm Anschlusse / terminal M4 M 1,7 - 2,3 Nm Anschlusse / terminal M8 Gewicht weight M 8 - 10 Nm G 1500 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. 3 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical) 2400 2100 Tvj = 25C IC= f(VCE) VGE= 15V 1800 1500 IC [A] 1200 900 600 300 0 0,0 0,5 Tvj = 125C 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 3,0 3,5 Ausgangskennlinienfeld (typisch) output characteristic (typical) 2400 2100 1800 1500 IC [A] 1200 900 600 300 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0 Vge=19V Vge=17V Vge=15V Vge=13V Vge=11V Vge=9V IC= f(VCE) Tvj= 125C 3,5 4,0 4,5 5,0 4 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Ubertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) 2400 2100 1800 1500 IC [A] 1200 900 600 300 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 Tvj=25C Tvj=125C IC= f(VGE) VCE= 20V 11 12 13 Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) forward caracteristic of inverse diode (typical) 2400 2100 1800 1500 IF [A] 1200 900 600 300 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 VF [V] 1,6 Tvj = 25C Tvj = 125C IF= f(VF) 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 5 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 800 700 600 500 E [mJ] 400 300 200 100 0 0 300 600 900 Eon Eoff Erec Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) VGE=15V, Rgon=1,8W, Rgoff=0,62W, VCE=600V, Tvj=125C 1200 IC [A] 1500 1800 2100 2400 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 800 700 600 500 E [mJ] 400 300 , Eon Eoff Erec Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE=15V, IC=1200A, VCE=600V, Tvj=125C 200 100 0 0 2 4 6 8 10 RG [W] 12 14 16 18 6 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 ZthJC = f (t) ZthJC [K/W] 0,01 Zth : IGBT Zth : Diode 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 i ri [K/kW] : IGBT ti [s] : IGBT ri [K/kW] : Diode ti [s] : Diode 1 2,63 6,897E-01 11,48 4,452E-01 2 8,62 5,634E-02 12,60 7,451E-02 3 8,49 2,997E-02 13,23 2,647E-02 4 2,26 3,820E-03 2,69 2,850E-03 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) 3000 2700 2400 2100 IC [A] 1800 1500 1200 900 600 300 0 0 200 400 IC,Chip IC,Chip VGE=15V, T vj=125C 600 800 VCE [V] 1000 1200 1400 7 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1200R12KE3 vorlaufige Daten preliminary data Gehausemae / Schaltbild Package outline / Circuit diagram 61.5 18 0.2 0.3 C (K) C (K) 29.5 0.5 130 114 E (A) 0.5 0.1 E (A) DD... C C C 28.25 0.5 18.25 0.5 M8 G E C 14.75 M 0.5 C E FD... E E 0.3 8 C E 0.2 0.2 14 0.5 C C E C G G 10.35 0.2 E E E 2 + 0.2 28 0.5 4.0 tief 10.65 2.5 tief 48.8 o7 +0.1 (fur M6-Schraube) external connection (to be done) FZ... IH4 8 (8) DB_FZ1200R12KE3_2.0.xls 2002-07-29 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschlielich fur technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes fur die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollstandigkeit der bereitgestellten Produktdaten fur diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, fur die wir eine liefervertragliche Gewahrleistung ubernehmen. Eine solche Gewahrleistung richtet sich ausschlielich nach Magabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden fur das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls ubernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benotigen, die uber den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Fur Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen konnte unser Produkt gesundheitsgefahrdende Substanzen enthalten. Bei Ruckfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem fur Sie zustandigen Vertriebsburo in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefahrdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fur diese Falle - die gemeinsame Durchfuhrung eines Risiko- und Qualitatsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitatssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einfuhrung von Manahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhangig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Anderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its characteristics. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. |
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